三星电子计划将下一代高带宽存储器(HBM)HBM5的性能提升至HBM4E的2倍,而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心,争夺下一代存储器市场的主导权。